Descrizione dei prodotti
-Ossido di gallio/Ga2O3, comunemente noto come ossido di gallio, è stato al centro del campo dei semiconduttori negli ultimi anni e rappresenta un nuovo capitolo nella quarta generazione di semiconduttori. In laboratorio, i ricercatori continuano a fare scoperte accattivanti-e anche il ritmo della produzione di massa e della commercializzazione continua ad accelerare.
L'ossido di gallio ha una buona stabilità chimica e termica, con un'ampiezza di banda proibita di 4,7-4,9 eV e un'intensità di campo di rottura critica di 8 MV/cm (molto superiore al limite teorico di 2,5 MV/cm per SiC e 3,3 MV per GaN/cm), la mobilità degli elettroni è di 250 cm2/V·s e ha una forte conduttività trasparente. La cifra di merito Baliga supera i 3000, ovvero molte volte quella dei materiali GaN e SiC.
-Ga2O3ha anche ampie prospettive di applicazione nel campo del rilevamento dei raggi ultravioletti (200~280 nm) ciechi solari. La larghezza della banda proibita dell'ossido di gallio è 4,8-4,9 eV e il corrispondente bordo della banda di assorbimento è di circa 250 nm. Non richiede processi di lega simili a AlGaN e ZnMgO. È un materiale ideale per realizzare rilevatori ultravioletti oscuranti dal sole.
Ossido di gallio ( -Ga2O3) il cristallo ha proprietà chimiche stabili, non si corrode facilmente, ha un'elevata resistenza meccanica, prestazioni stabili alle alte temperature e ha un'elevata trasparenza visibile e ultravioletta. È particolarmente trasparente nelle regioni della luce ultravioletta e blu. Questo è un tradizionale materiale conduttivo trasparente. Pertanto, il cristallo singolo -Ga2O3 può diventare una nuova generazione di materiali conduttivi trasparenti ed essere applicato nelle celle solari e nella tecnologia dei display a schermo piatto. La conduttività del cristallo singolo -Ga2O3 cambia con i cambiamenti nell'ambiente circostante e può essere utilizzata nella tecnologia di rilevamento dei gas.
Parametri del prodotto
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Substrato monocristallino di ossido di gallio |
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misurare |
2" e personalizzato |
5mm*5mm-20mm*20mm |
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Aerei |
<001>,<100> |
<-201>,<010> |
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Deviazione |
<1° or customized declination angle |
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Spessore |
650±50μm o personalizzato |
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Tipo di conduttività |
N, semi-isolato |
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Resistività |
<1ω•cm>1x1010Ω•cm |
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XRD metà della larghezza massima |
<150arcsec |
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Rugosità superficiale Ra |
<0.5nm |
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Wafer epitassiale all'ossido di gallio |
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• Substrato di ossido di gallio |
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misurare |
2" e personalizzato |
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Aerei |
<001>o personalizzato |
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Dopante |
Si, Sn, Fe |
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Spessore |
650±50μm o personalizzato |
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XRD metà della larghezza massima |
<150arcsec |
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• Strato omoepitassiale di ossido di gallio |
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Dopante |
UID o Si |
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Concentrazione dei portatori |
2x1016-1x1018 |
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Spessore |
5-20μm |
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Vantaggi dell'ossido di gallio:
L'ossido di gallio ha un'ampia banda proibita di circa 4,8-4,9 elettronvolt, che lo rende vantaggioso in applicazioni quali rilevatori UV e apparecchiature di alimentazione.
Stabilità alle alte-temperature:Buona stabilità alle alte-temperature, può funzionare in ambienti fino a 1200 gradi Celsius, rendendolo adatto per scenari applicativi ad alta-temperatura, alta-potenza e alta-frequenza.
Elevata intensità del campo di degradazione:L'ossido di gallio ha un'elevata intensità del campo elettrico di rottura, che lo rende ampiamente utilizzato nelle apparecchiature ad alta-tensione.
Buone proprietà ottiche:buona trasparenza ottica in un ampio intervallo di lunghezze d'onda dall'ultravioletto all'infrarosso.
Buona stabilità chimica:L'ossido di gallio ha un'elevata stabilità chimica a temperatura e pressione ambiente e ha una buona tolleranza a molti acidi e basi.
Queste caratteristiche fanno sì che l'ossido di gallio abbia un ampio potenziale di applicazione nei campi dell'elettronica di potenza, dell'optoelettronica, della fotocatalisi, dei sensori di gas e altri campi.
Applicazione del prodotto
L'ossido di gallio può essere utilizzato nei chip dei sensori di rilevamento delle radiazioni nei settori delle comunicazioni, dei radar, dell'aerospaziale, dei treni ad alta- velocità, dei veicoli a nuova energia e in altri campi. Soprattutto nei dispositivi ad alta-potenza, alta-temperatura e alta-frequenza, l'ossido di gallio ha prestazioni più elevate rispetto al carburo di silicio e al nitruro di gallio. I vantaggi sono maggiori sotto molti aspetti.
I dispositivi di potenza realizzati in ossido di gallio sono superiori ai prodotti realizzati in carburo di silicio e nitruro di gallio in termini di prestazioni, costi e campo di applicazione. Nei prossimi dieci anni, con l’aumento della domanda, si prevede che l’ossido di gallio sostituirà gradualmente il carbonio e il nitruro. Ossido di gallio e altri materiali semiconduttori di terza-generazione.
Applicazioni e funzionalità
Doping delle fibre Ossido di gallio
Materiali della batteria Ossido di gallio
batteria allo stato solido Ossido di gallio
semiconduttore Ossido di gallio
cristallo di ossido di gallio
ceramica Ossido di gallio
Scienza e tecnologia del film sottile Ossido di gallio
Consegna dell'imballaggio
Piano di acquisto professionale
Fornirti prodotti-economici
Imballaggio professionale e garanzia di autenticità
Operare con integrità e fornire fatture
Logistica rapida e consegna sicura
Logistica rapida e consegna sicura
Servizio eccellente e servizio post-vendita-senza preoccupazioni-
Fornirti il miglior servizio
Domande frequenti
Domande frequenti
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